Intel 18A, похоже, действительно собирается стать серьёзным конкурентом для TSMC. По слухам,

Intel 18A, похоже, действительно собирается стать серьёзным конкурентом для TSMC. По слухам, процесс Intel 18A демонстрирует плотность SRAM, сравнимую с процессом N2 компании TSMC — что является значительным шагом вперёд для Intel, которая делает амбициозные шаги в области полупроводников. Но есть кое-что, что делает этот процесс «особенным». Например, внедрение BSPDN (Backside Power Delivery) — уникальной технологии, которая переносит процесс подачи питания на заднюю сторону пластины чипа. Это не просто инновация: она должна обеспечить существенное улучшение энергоэффективности и целостности сигнала.

Процесс 18A имеет плотность макробитов 38,1 Мб/мм², что весьма впечатляюще, особенно учитывая его высокую конфигурацию. Конечно, реальное тестирование чипов покажет, как это будет работать на практике, но для Team Blue это, похоже, повод для оптимизма. Ведь последние отчёты и сессии ISSCC подтверждают, что конкуренция в полупроводниковом секторе усиливается, и разрыв между Intel и TSMC значительно сократился, хотя всё ещё остаётся многое под вопросом.

С другой стороны, TSMC не отстаёт. В процессе N2 они добились 12%-ного улучшения плотности SRAM благодаря интеграции GAA (Gate-All-Around), а в высокопроизводительной версии — целых 18%. Переход от традиционной технологии FinFET к нанолисту N2 также позволяет точнее контролировать настройки, что даёт значительные преимущества в производительности.

Судя по всему, полупроводниковая гонка между TSMC и Intel только начинается. Всё, что теперь нужно — это время, чтобы увидеть, как эти новые процессы будут работать в реальных чипах и как они будут интегрированы в цепочку поставок.