2нм техпроцесс, вернее 2N от TSMC стартует, еще на одной фабрике уже
2нм техпроцесс, вернее 2N от TSMC стартует, еще на одной фабрике уже в этом месяце.
Это пока еще один опытный запуск, но после успешного опытного запуска на предыдущей фабрике компания решила ускориться.
По некоторым сообщениям на техпроцесс N2 спрос уже сейчас выше, чем на семейство N3. И первый крупный клиент – разумеется Apple.
Как вы знаете, Intel решили пропустить 20A (аналогично 2-нм) и перейти сразу к 18А (1,8 нм). И сейчас крупнейшие чипмейкеры находятся примерно на одном технологическом уровне. Как-бы. Но все это, разумеется, лишь маркетинговые названия.
Единственная робкая попытка привязать названия техпроцессов к реальным характеристикам и размерам компонентов была, как ни странно, от Intel, когда они предложили всей отрасли выработать единый стандарт в названиях, основанный на плотности размещения транзисторов на определенной площади. Но отрасль проигнорировала предложение.
И на сегодня мы имеем шаг затвора в 2-нм техпроцессе – около 45 нм, по ожиданиям IEEE. Как и предыдущий техпроцесс, N2 направлен на уменьшение размера транзисторов, за счет чего должна возрасти плотность, но, по косвенным данным, всего на 6,5%.
Размер ячейки SRAM у TSMC N2 17,5-нм, а у Intel 18A – 21-нм.
Это пока еще один опытный запуск, но после успешного опытного запуска на предыдущей фабрике компания решила ускориться.
По некоторым сообщениям на техпроцесс N2 спрос уже сейчас выше, чем на семейство N3. И первый крупный клиент – разумеется Apple.
Как вы знаете, Intel решили пропустить 20A (аналогично 2-нм) и перейти сразу к 18А (1,8 нм). И сейчас крупнейшие чипмейкеры находятся примерно на одном технологическом уровне. Как-бы. Но все это, разумеется, лишь маркетинговые названия.
Единственная робкая попытка привязать названия техпроцессов к реальным характеристикам и размерам компонентов была, как ни странно, от Intel, когда они предложили всей отрасли выработать единый стандарт в названиях, основанный на плотности размещения транзисторов на определенной площади. Но отрасль проигнорировала предложение.
И на сегодня мы имеем шаг затвора в 2-нм техпроцессе – около 45 нм, по ожиданиям IEEE. Как и предыдущий техпроцесс, N2 направлен на уменьшение размера транзисторов, за счет чего должна возрасти плотность, но, по косвенным данным, всего на 6,5%.
Размер ячейки SRAM у TSMC N2 17,5-нм, а у Intel 18A – 21-нм.
Канал источник:@prohitec