⚡️Безумная скорость: новая память пишет 25 миллиардов бит в секунду!

⚡️Безумная скорость: новая память пишет 25 миллиардов бит в секунду!

Исследователи из университета Фудань (Китай) совершили прорыв в технологиях хранения данных! Их новая энергонезависимая флеш-память под названием "PoX" устанавливает невероятный рекорд — запись одного бита за 400 пикосекунд. Для сравнения, это в 10 000 раз быстрее, чем у текущих технологий!

Традиционная SRAM и DRAM записывают данные за 1-10 наносекунд, но мгновенно всё теряют при отключении питания. Обычная флеш-память сохраняет данные, но для записи требуются микро- или даже миллисекунды — слишком медленно для современных ИИ-акселераторов, которые обрабатывают терабайты параметров в реальном времени.

Команда под руководством профессора Чжоу Пэна полностью переосмыслила физику флеш-памяти. Они заменили кремниевые каналы двумерным графеном и использовали его баллистический перенос заряда. Настроив "гауссову длину" канала, исследователи достигли двумерной суперинжекции — по сути, безграничного потока заряда в слой хранения, который обходит классическое узкое место инжекции.

Простыми словами — представьте, что обычная флеш-память похожа на узкую трубу, через которую вода (заряд) течет медленно из-за сопротивления стенок. Китайские ученые фактически создали сверхскоростной канал без трения, где электроны мчатся почти со скоростью света. Это как заменить обычную дорогу с пробками на многополосное шоссе без светофоров.

Сейчас инженеры Фудань работают над масштабированием архитектуры ячеек. Если массовое производство окажется успешным, PoX может стать новым классом сверхбыстрой и сверхэкономичной памяти.

@droidergram